肖特基勢壘二極體╃·，又稱熱載流子二極體◕│╃✘。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性製成╃·，有點接觸型和麵結合型兩種管芯結構◕│╃✘。

為了在真空中從金屬或半異體上放出電子╃·，就必須給電子施加一一定的能量╃·，將這個能量稱為功函式╃·，不同種類的金屬和半導體擁有各自不同的固有功函敷值◕│╃✘。使兩種材料接觸╃·，

電子會從功函式小的材料向功函式大的材料方向流動◕│╃✘。如果使n型半導體與比其功函式大的金屬材料接觸╃·，則與pn結情況一樣從半導體流出電子·│◕、而在n型半導體中形成耗盡層╃·，產生接觸電勢◕│╃✘。

由於耗盡層使得在金屬和半導體的接觸處產生了整流作用╃·，所以稱這樣的整流二極體為肖特基勢壘二極體(Schotky Barrier Diode, SBD)◕│╃✘。

另外╃·，當n型半導體與比其功函式小的金屬相接觸時╃·，由於電子從金屬向半導體的方向流動╃·，所以不會形成耗盡層╃·，也不發生整流作用╃·，成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)◕│╃✘。

SBD是單極型器件╃·，由於不發生所謂的少數載流子儲存效應╃·，所以電流極性反轉時反向恢復快╃·，適用於高速開關◕│╃✘。但是╃·，對非常高速的開關而言╃·，為了使它也形成耗盡層╃·，對應接合容量的過渡電流可能會引起些問題◕│╃✘。另-方面╃·，正向壓降低也是SBD的優點◕│╃✘。 

然而╃·，用於高壓的器件製作困難╃·，因此SBD主要限定用於50V以下的低壓高速開關場合◕│╃✘。